SH8M24GZETB

निर्माता भाग संख्या:	SH8M24GZETB
उत्पादक:	ROHM Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. COMPLEX
डाटा शीट:	SH8M24GZETB डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N and P-Channel
फ़ीचर फ़ीचर	Standard
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	45V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	6A (Ta)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	9.6nC, 18.2nC @ 5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	550pF, 1700pF @ 10V
शक्ति - मैक्स	1.4W (Ta)
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-SOP

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