NTMD6601NR2G

निर्माता भाग संख्या:	NTMD6601NR2G
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
डाटा शीट:	NTMD6601NR2G डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	80V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	1.1A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	215mOhm @ 2.2A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	15nC @ 10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	400pF @ 25V
शक्ति - मैक्स	600mW
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-SOIC

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मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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