SSM6N57NU,LF

निर्माता भाग संख्या:	SSM6N57NU,LF
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा:	MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
डाटा शीट:	SSM6N57NU,LF डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Standard
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	4A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	46mOhm @ 2A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	4nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	310pF @ 10V
शक्ति - मैक्स	1W
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	6-WDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	6-µDFN (2x2)

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