NTJD1155LT1

निर्माता भाग संख्या:	NTJD1155LT1
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
डाटा शीट:	NTJD1155LT1 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N and P-Channel
फ़ीचर फ़ीचर	Standard
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	8V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	1.3A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	175mOhm @ 1.2A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	-
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	-
शक्ति - मैक्स	400mW
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SC-88/SC70-6/SOT-363

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