NDS8852H

निर्माता भाग संख्या:	NDS8852H
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
डाटा शीट:	NDS8852H डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N and P-Channel
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	4.3A, 3.4A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	80mOhm @ 3.4A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.8V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	25nC @ 10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	300pF @ 15V
शक्ति - मैक्स	1W
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-SOIC

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