FF6MR12KM1PHOSA1

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	CoolSiC™
पैकेज	Tray
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Half Bridge)
फ़ीचर फ़ीचर	Silicon Carbide (SiC)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1200V (1.2kV)
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	250A (Tc)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	5.81mOhm @ 250A, 15V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	5.15V @ 80mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	496nC @ 15V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	14700pF @ 800V
शक्ति - मैक्स	-
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	AG-62MM

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मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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लोकप्रिय मॉडल

	FF6MR12KM1PHOSA1 IR (Infineon Technologies)
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