SIRB40DP-T1-GE3

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	TrenchFET®
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Standard
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	40V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	40A (Tc)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3.25mOhm @ 10A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	45nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	4290pF @ 20V
शक्ति - मैक्स	46.2W
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	PowerPAK® SO-8 Dual
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PowerPAK® SO-8 Dual

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लोकप्रिय मॉडल

	SIRB40DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix

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