HAT2210RWS-E

निर्माता भाग संख्या:	HAT2210RWS-E
उत्पादक:	Renesas Electronics America
विवरण का हिस्सा:	MOSFET N-PAK 8SOP
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual), Schottky
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate, 4.5V Drive
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	7.5A (Ta), 8A (Ta)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	630pF @ 10V, 1330pF @ 10V
शक्ति - मैक्स	1.5W (Ta)
परिचालन तापमान	150°C
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-SOP

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