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निर्माता भाग संख्या: | IPG20N06S4L11AATMA1 |
उत्पादक: | IR (Infineon Technologies) |
विवरण का हिस्सा: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
डाटा शीट: | IPG20N06S4L11AATMA1 डाटा शीट |
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: | लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी |
स्टॉक की स्थिति: | स्टॉक में |
भेजने का स्थान: | Hong Kong |
शिपमेंट रास्ता: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
प्रकार | विवरण |
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श्रृंखला | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
पैकेज | Tape & Reel (TR) |
भाग की स्थिति | Active |
FET प्रकार | 2 N-Channel (Dual) |
फ़ीचर फ़ीचर | Logic Level Gate |
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली | 60V |
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 20A |
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 11.2mOhm @ 17A, 10V |
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी | 2.2V @ 28µA |
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 53nC @ 10V |
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 4020pF @ 25V |
शक्ति - मैक्स | 65W |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount, Wettable Flank |
पैकेज / मामला | 8-PowerVDFN |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | PG-TDSON-8-10 |
स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग
न्यूनतम: 1
मात्रा | यूनिट मूल्य | एक्सटेंशन कीमत |
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कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ |
FedEx द्वारा यूएस $40।
3-5 दिनों में पहुंचें
एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा