SI3552DV-T1-E3

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	TrenchFET®
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N and P-Channel
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	2.5A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	105mOhm @ 2.5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1V @ 250µA (Min)
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	3.2nC @ 5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	-
शक्ति - मैक्स	1.15W
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	6-TSOP

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