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निर्माता भाग संख्या: | SIA929DJ-T1-GE3 |
उत्पादक: | Vishay / Siliconix |
विवरण का हिस्सा: | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6 |
डाटा शीट: | SIA929DJ-T1-GE3 डाटा शीट |
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: | लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी |
स्टॉक की स्थिति: | स्टॉक में |
भेजने का स्थान: | Hong Kong |
शिपमेंट रास्ता: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
प्रकार | विवरण |
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श्रृंखला | TrenchFET® |
पैकेज | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
भाग की स्थिति | Active |
FET प्रकार | 2 P-Channel (Dual) |
फ़ीचर फ़ीचर | Logic Level Gate |
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली | 30V |
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 4.5A (Tc) |
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 64mOhm @ 3A, 10V |
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी | 1.1V @ 250µA |
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 21nC @ 10V |
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 575pF @ 15V |
शक्ति - मैक्स | 7.8W |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
पैकेज / मामला | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
स्टॉक की अवस्था: 474
न्यूनतम: 1
मात्रा | यूनिट मूल्य | एक्सटेंशन कीमत |
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