BFR30LT1G

निर्माता भाग संख्या:	BFR30LT1G
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
डाटा शीट:	BFR30LT1G डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N-Channel
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस)	-
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	25 V
वर्तमान - नाली (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	4 mA @ 10 V
वर्तमान नाली (आईडी) - मैक्स	-
वोल्टेज - कटऑफ (VGS बंद) @ आईडी	5 V @ 0.5 nA
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	5pF @ 10V
प्रतिरोध - आरडीएस (ऑन)	-
शक्ति - मैक्स	225 mW
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SOT-23-3 (TO-236)

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