J176,126

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Box (TB)
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	P-Channel
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस)	30 V
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30 V
वर्तमान - नाली (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	2 mA @ 15 V
वर्तमान नाली (आईडी) - मैक्स	-
वोल्टेज - कटऑफ (VGS बंद) @ आईडी	1 V @ 10 nA
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	8pF @ 10V (VGS)
प्रतिरोध - आरडीएस (ऑन)	250 Ohms
शक्ति - मैक्स	400 mW
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-92

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मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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लोकप्रिय मॉडल

	J176,126 NXP Semiconductors
	J176-D74Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
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	J176_D26Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	J176 Rochester Electronics

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