J111-D26Z

निर्माता भाग संख्या:	J111-D26Z
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	JFET N-CH 35V 625MW TO92
डाटा शीट:	J111-D26Z डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस)	35 V
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	-
वर्तमान - नाली (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	20 mA @ 15 V
वर्तमान नाली (आईडी) - मैक्स	-
वोल्टेज - कटऑफ (VGS बंद) @ आईडी	3 V @ 1 µA
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	-
प्रतिरोध - आरडीएस (ऑन)	30 Ohms
शक्ति - मैक्स	625 mW
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-92-3

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