2N2609

निर्माता भाग संख्या:	2N2609
उत्पादक:	Roving Networks / Microchip Technology
विवरण का हिस्सा:	JFETS
डाटा शीट:	2N2609 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bag
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	P-Channel
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस)	30 V
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	-
वर्तमान - नाली (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	2 mA @ 5 V
वर्तमान नाली (आईडी) - मैक्स	10 mA
वोल्टेज - कटऑफ (VGS बंद) @ आईडी	750 mV @ 1 A
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	10pF @ 5V
प्रतिरोध - आरडीएस (ऑन)	-
शक्ति - मैक्स	300 mW
परिचालन तापमान	-65°C ~ 200°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-18 (TO-206AA)

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मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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लोकप्रिय मॉडल

	2N2608 Central Semiconductor
	2N2609 Roving Networks / Microchip Technology

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