MMBFJ175

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	P-Channel
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस)	30 V
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	-
वर्तमान - नाली (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	7 mA @ 15 V
वर्तमान नाली (आईडी) - मैक्स	-
वोल्टेज - कटऑफ (VGS बंद) @ आईडी	3 V @ 10 nA
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	-
प्रतिरोध - आरडीएस (ऑन)	125 Ohms
शक्ति - मैक्स	225 mW
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SOT-23-3

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