BSV80

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N-Channel
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस)	-
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	40 V
वर्तमान - नाली (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	10 mA @ 15 V
वर्तमान नाली (आईडी) - मैक्स	-
वोल्टेज - कटऑफ (VGS बंद) @ आईडी	1 V @ 1 nA
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	5pF @ 10V
प्रतिरोध - आरडीएस (ऑन)	60 Ohms
शक्ति - मैक्स	350 mW
परिचालन तापमान	-65°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-18

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न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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लोकप्रिय मॉडल

	BSV80 Central Semiconductor

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