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GeneSiC Semiconductor / MBR12060CTR

MBR12060CTR

निर्माता भाग संख्या: MBR12060CTR
उत्पादक: GeneSiC Semiconductor
विवरण का हिस्सा: DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER
डाटा शीट: MBR12060CTR डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखला-
पैकेजBulk
भाग की स्थितिActive
डायोड विन्यास1 Pair Common Cathode
डायोड प्रकारSchottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (Vr) (अधिकतम)60 V
वर्तमान - औसत आयत (Io) (प्रति डायोड)120A (DC)
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (मैक्स) @ इफ750 mV @ 60 A
स्पीडFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)-
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर3 mA @ 20 V
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन-55°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकारChassis Mount
पैकेज / मामलाTwin Tower
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजTwin Tower
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न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

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