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GeneSiC Semiconductor / MBR600200CT

MBR600200CT

निर्माता भाग संख्या: MBR600200CT
उत्पादक: GeneSiC Semiconductor
विवरण का हिस्सा: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
डाटा शीट: MBR600200CT डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखला-
पैकेजBulk
भाग की स्थितिActive
डायोड विन्यास1 Pair Common Cathode
डायोड प्रकारSchottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (Vr) (अधिकतम)200 V
वर्तमान - औसत आयत (Io) (प्रति डायोड)300A
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (मैक्स) @ इफ920 mV @ 300 A
स्पीडFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)-
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर3 mA @ 200 V
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन-55°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकारChassis Mount
पैकेज / मामलाTwin Tower
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजTwin Tower
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

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एक्सप्रेस: ​​(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

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