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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TRS12N65D,S1F
छवि संदर्भ के लिए है, कृपया वास्तविक चित्र प्राप्त करने के लिए हमसे संपर्क करें
TRS12N65D,S1F
| निर्माता भाग संख्या: | TRS12N65D,S1F |
| उत्पादक: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| विवरण का हिस्सा: | DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247 |
| डाटा शीट: | TRS12N65D,S1F डाटा शीट |
| लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: | लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी |
| स्टॉक की स्थिति: | स्टॉक में |
| भेजने का स्थान: | Hong Kong |
| शिपमेंट रास्ता: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- टिप्पणी
- एक्टिव-सेमी TRS12N65D,S1F chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।
विनिर्देश
| प्रकार | विवरण |
|---|---|
| श्रृंखला | - |
| पैकेज | Tube |
| भाग की स्थिति | Obsolete |
| डायोड विन्यास | 1 Pair Common Cathode |
| डायोड प्रकार | Schottky |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (Vr) (अधिकतम) | 650 V |
| वर्तमान - औसत आयत (Io) (प्रति डायोड) | 6A (DC) |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (मैक्स) @ इफ | 1.7 V @ 6 A |
| स्पीड | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| रिवर्स रिकवरी टाइम (trr) | - |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 90 µA @ 650 V |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | 175°C (Max) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| पैकेज / मामला | TO-247-3 |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | TO-247 |
विकल्प खरीदना
स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग
न्यूनतम: 1
| मात्रा | यूनिट मूल्य | एक्सटेंशन कीमत |
|---|---|---|
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ |
||
माल ढुलाई गणना
FedEx द्वारा यूएस $40।
3-5 दिनों में पहुंचें
एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा
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