A2G35S200-01SR3

निर्माता भाग संख्या:	A2G35S200-01SR3
उत्पादक:	NXP Semiconductors
विवरण का हिस्सा:	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
डाटा शीट:	A2G35S200-01SR3 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
ट्रांजिस्टर प्रकार	GaN HEMT
आवृत्ति	3.4GHz ~ 3.6GHz
लाभ	16.1dB
वोल्टेज - टेस्ट	48 V
वर्तमान रेटिंग (Amps)	-
शोर का आंकड़ा	-
वर्तमान - टेस्ट	291 mA
बिजली उत्पादन	180W
वोल्टेज - रेटेड	125 V
पैकेज / मामला	NI-400S-2S
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	NI-400S-2S

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लोकप्रिय मॉडल

	A2G35S160-01SR3 NXP Semiconductors
	A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors

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