Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VS-12TTS08-M3
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VS-12TTS08-M3
| निर्माता भाग संख्या: | VS-12TTS08-M3 |
| उत्पादक: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| विवरण का हिस्सा: | SCR 800V 12.5A TO220AB |
| डाटा शीट: | VS-12TTS08-M3 डाटा शीट |
| लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: | लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी |
| स्टॉक की स्थिति: | स्टॉक में |
| भेजने का स्थान: | Hong Kong |
| शिपमेंट रास्ता: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- टिप्पणी
- एक्टिव-सेमी VS-12TTS08-M3 chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
| प्रकार | विवरण |
|---|---|
| श्रृंखला | - |
| पैकेज | Tube |
| भाग की स्थिति | Active |
| वोल्टेज - ऑफ स्टेट | 800 V |
| वोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम) | 1 V |
| वर्तमान - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम) | 15 mA |
| वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम) | 1.2 V |
| वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (मैक्स) | 8 A |
| वर्तमान - राज्य पर (यह (RMS)) (अधिकतम) | 12.5 A |
| वर्तमान - होल्ड (Ih) (अधिकतम) | 30 mA |
| वर्तमान - ऑफ स्टेट (अधिकतम) | 50 µA |
| वर्तमान - नॉन रेप। सर्ज 50, 60 हर्ट्ज (इसका) | 95A @ 50Hz |
| SCR प्रकार | Standard Recovery |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 125°C |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| पैकेज / मामला | TO-220-3 |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | TO-220AB |
स्टॉक की अवस्था: 969
न्यूनतम: 1
| मात्रा | यूनिट मूल्य | एक्सटेंशन कीमत |
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कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ |
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FedEx द्वारा यूएस $40।
3-5 दिनों में पहुंचें
एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा
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