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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TRS8E65C,S1Q

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TRS8E65C,S1Q

निर्माता भाग संख्या: TRS8E65C,S1Q
उत्पादक: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
डाटा शीट: TRS8E65C,S1Q डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
एक्टिव-सेमी TRS8E65C,S1Q chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखला-
पैकेजTube
भाग की स्थितिObsolete
डायोड प्रकारSilicon Carbide Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (Vr) (अधिकतम)650 V
वर्तमान - औसत आयत (Io)8A (DC)
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (मैक्स) @ इफ1.7 V @ 8 A
स्पीडNo Recovery Time > 500mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)0 ns
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर90 µA @ 650 V
क्षमता @ वीआर, एफ44pF @ 650V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकारThrough Hole
पैकेज / मामलाTO-220-2
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजTO-220-2L
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन175°C (Max)
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: ​​(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

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