NHPD660T4G

निर्माता भाग संख्या:	NHPD660T4G
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
डाटा शीट:	NHPD660T4G डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
डायोड प्रकार	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (Vr) (अधिकतम)	600 V
वर्तमान - औसत आयत (Io)	6A
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (मैक्स) @ इफ	3 V @ 6 A
स्पीड	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)	30 ns
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर	30 µA @ 600 V
क्षमता @ वीआर, एफ	-
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	DPAK
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन	-65°C ~ 175°C

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स्टॉक की अवस्था: 23355000

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लोकप्रिय मॉडल

	NHPD660T4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

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