CUHS20S40,H3F

निर्माता भाग संख्या:	CUHS20S40,H3F
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा:	SCHOTTKY BARRIER DIODE, LOW VF,
डाटा शीट:	CUHS20S40,H3F डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
डायोड प्रकार	Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (Vr) (अधिकतम)	40 V
वर्तमान - औसत आयत (Io)	2A
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (मैक्स) @ इफ	470 mV @ 2 A
स्पीड	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)	-
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर	300 µA @ 40 V
क्षमता @ वीआर, एफ	290pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	2-SMD, Flat Lead
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	US2H
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन	150°C (Max)

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