SE30PAJHM3/I

निर्माता भाग संख्या:	SE30PAJHM3/I
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
विवरण का हिस्सा:	DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC
डाटा शीट:	SE30PAJHM3/I डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	eSMP®
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Active
डायोड प्रकार	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (Vr) (अधिकतम)	600 V
वर्तमान - औसत आयत (Io)	3A
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (मैक्स) @ इफ	1.16 V @ 3 A
स्पीड	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)	1.3 µs
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर	5 µA @ 600 V
क्षमता @ वीआर, एफ	13pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	DO-221BC (SMPA)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन	-55°C ~ 175°C

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