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                                    | निर्माता भाग संख्या: | IDH03G65C5XKSA2 | 
| उत्पादक: | IR (Infineon Technologies) | 
| विवरण का हिस्सा: | DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2-1 | 
| डाटा शीट: | IDH03G65C5XKSA2 डाटा शीट | 
| लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: | लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी | 
| स्टॉक की स्थिति: | स्टॉक में | 
| भेजने का स्थान: | Hong Kong | 
| शिपमेंट रास्ता: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS | 

| प्रकार | विवरण | 
|---|---|
| श्रृंखला | CoolSiC™+ | 
| पैकेज | Tube | 
| भाग की स्थिति | Active | 
| डायोड प्रकार | Silicon Carbide Schottky | 
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (Vr) (अधिकतम) | 650 V | 
| वर्तमान - औसत आयत (Io) | 3A (DC) | 
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (मैक्स) @ इफ | 1.7 V @ 3 A | 
| स्पीड | No Recovery Time > 500mA (Io) | 
| रिवर्स रिकवरी टाइम (trr) | 0 ns | 
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 50 µA @ 650 V | 
| क्षमता @ वीआर, एफ | 100pF @ 1V, 1MHz | 
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | 
| पैकेज / मामला | TO-220-2 | 
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | PG-TO220-2-1 | 
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 175°C | 
स्टॉक की अवस्था: 459
न्यूनतम: 1
| मात्रा | यूनिट मूल्य | एक्सटेंशन कीमत | 
|---|---|---|
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FedEx द्वारा यूएस $40।
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