S1GHE3_A/I

निर्माता भाग संख्या:	S1GHE3_A/I
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
विवरण का हिस्सा:	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
डाटा शीट:	S1GHE3_A/I डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
डायोड प्रकार	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (Vr) (अधिकतम)	400 V
वर्तमान - औसत आयत (Io)	1A
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (मैक्स) @ इफ	1.1 V @ 1 A
स्पीड	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)	1.8 µs
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर	1 µA @ 400 V
क्षमता @ वीआर, एफ	12pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	DO-214AC, SMA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	DO-214AC (SMA)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन	-55°C ~ 150°C

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