GT10J312(Q)

निर्माता भाग संख्या:	GT10J312(Q)
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा:	IGBT 600V 10A 60W TO220SM
डाटा शीट:	GT10J312(Q) डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Obsolete
IGBT प्रकार	-
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	600 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	10 A
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)	20 A
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	2.7V @ 15V, 10A
शक्ति - मैक्स	60 W
स्विचिंग एनर्जी	-
निवेष का प्रकार	Standard
गेट प्रभारी	-
टीडी (पर / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस	400ns/400ns
परीक्षण स्थिति	300V, 10A, 100Ohm, 15V
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)	200 ns
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-220SM

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न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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लोकप्रिय मॉडल

	GT10G131(TE12L,Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	GT10J312(Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

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