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ROHM Semiconductor / RGT30NS65DGC9

RGT30NS65DGC9

निर्माता भाग संख्या: RGT30NS65DGC9
उत्पादक: ROHM Semiconductor
विवरण का हिस्सा: IGBT
डाटा शीट: RGT30NS65DGC9 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखला-
पैकेजTube
भाग की स्थितिActive
IGBT प्रकारTrench Field Stop
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)650 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)30 A
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)45 A
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी2.1V @ 15V, 15A
शक्ति - मैक्स133 W
स्विचिंग एनर्जी-
निवेष का प्रकारStandard
गेट प्रभारी32 nC
टीडी (पर / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस18ns/64ns
परीक्षण स्थिति400V, 15A, 10Ohm, 15V
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)55 ns
परिचालन तापमान-40°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारThrough Hole
पैकेज / मामलाTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजTO-262
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 2990

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

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