HGTP10N120BN

निर्माता भाग संख्या:	HGTP10N120BN
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
डाटा शीट:	HGTP10N120BN डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Not For New Designs
IGBT प्रकार	NPT
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	1200 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	35 A
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)	80 A
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	2.7V @ 15V, 10A
शक्ति - मैक्स	298 W
स्विचिंग एनर्जी	320µJ (on), 800µJ (off)
निवेष का प्रकार	Standard
गेट प्रभारी	100 nC
टीडी (पर / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस	23ns/165ns
परीक्षण स्थिति	960V, 10A, 10Ohm, 15V
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)	-
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	TO-220-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-220-3

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मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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