NGTG20N60L2TF1G

निर्माता भाग संख्या:	NGTG20N60L2TF1G
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
डाटा शीट:	NGTG20N60L2TF1G डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	*
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
IGBT प्रकार	-
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	-
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	-
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)	-
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	-
शक्ति - मैक्स	-
स्विचिंग एनर्जी	-
निवेष का प्रकार	-
गेट प्रभारी	-
टीडी (पर / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस	-
परीक्षण स्थिति	-
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)	-
परिचालन तापमान	-
माउन्टिंग का प्रकार	-
पैकेज / मामला	-
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	-

विकल्प खरीदना

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