STGYA120M65DF2

निर्माता भाग संख्या:	STGYA120M65DF2
उत्पादक:	STMicroelectronics
विवरण का हिस्सा:	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
डाटा शीट:	STGYA120M65DF2 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	M
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
IGBT प्रकार	NPT, Trench Field Stop
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	650 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	160 A
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)	360 A
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	1.95V @ 15V, 120A
शक्ति - मैक्स	625 W
स्विचिंग एनर्जी	1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
निवेष का प्रकार	Standard
गेट प्रभारी	420 nC
टीडी (पर / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस	66ns/185ns
परीक्षण स्थिति	400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)	202 ns
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	TO-247-3 Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	MAX247™

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