RGC80TSX8RGC11

टिप्पणी: एक्टिव-सेमी RGC80TSX8RGC11 chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।

सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
IGBT प्रकार	Trench Field Stop
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	1800 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	80 A
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)	120 A
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	5V @ 15V, 40A
शक्ति - मैक्स	535 W
स्विचिंग एनर्जी	1.85mJ (on), 1.6mJ (off)
निवेष का प्रकार	Standard
गेट प्रभारी	468 nC
टीडी (पर / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस	80ns/565ns
परीक्षण स्थिति	600V, 40A, 10Ohm, 15V
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)	-
परिचालन तापमान	-40°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	TO-247-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-247N

विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 65

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

लोकप्रिय मॉडल

	RGC80TSX8RGC11 ROHM Semiconductor

यह आइटम आपके कार्ट में जोड़ा गया है।