IXBX25N250

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	BIMOSFET™
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
IGBT प्रकार	-
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	2500 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	55 A
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)	180 A
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	3.3V @ 15V, 25A
शक्ति - मैक्स	300 W
स्विचिंग एनर्जी	-
निवेष का प्रकार	Standard
गेट प्रभारी	103 nC
टीडी (पर / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस	-
परीक्षण स्थिति	-
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)	1.6 µs
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	TO-247-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PLUS247™-3

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