Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NGTB50N120FL2WG
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NGTB50N120FL2WG
| निर्माता भाग संख्या: | NGTB50N120FL2WG |
| उत्पादक: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| विवरण का हिस्सा: | IGBT 1200V 100A 535W TO247 |
| डाटा शीट: | NGTB50N120FL2WG डाटा शीट |
| लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: | लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी |
| स्टॉक की स्थिति: | स्टॉक में |
| भेजने का स्थान: | Hong Kong |
| शिपमेंट रास्ता: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- टिप्पणी
- एक्टिव-सेमी NGTB50N120FL2WG chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।
विनिर्देश
| प्रकार | विवरण |
|---|---|
| श्रृंखला | - |
| पैकेज | Tube |
| भाग की स्थिति | Active |
| IGBT प्रकार | Trench Field Stop |
| वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) | 1200 V |
| वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम) | 100 A |
| वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम) | 200 A |
| Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी | 2.2V @ 15V, 50A |
| शक्ति - मैक्स | 535 W |
| स्विचिंग एनर्जी | 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) |
| निवेष का प्रकार | Standard |
| गेट प्रभारी | 311 nC |
| टीडी (पर / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 118ns/282ns |
| परीक्षण स्थिति | 600V, 50A, 10Ohm, 15V |
| रिवर्स रिकवरी टाइम (trr) | 256 ns |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| पैकेज / मामला | TO-247-3 |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | TO-247 |
स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग
न्यूनतम: 1
| मात्रा | यूनिट मूल्य | एक्सटेंशन कीमत |
|---|---|---|
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ |
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माल ढुलाई गणना
FedEx द्वारा यूएस $40।
3-5 दिनों में पहुंचें
एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा
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