FGA50N100BNTD2

निर्माता भाग संख्या:	FGA50N100BNTD2
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	IGBT 1000V 50A 156W TO3P
डाटा शीट:	FGA50N100BNTD2 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Last Time Buy
IGBT प्रकार	NPT and Trench
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	1000 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	50 A
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)	200 A
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	2.9V @ 15V, 60A
शक्ति - मैक्स	156 W
स्विचिंग एनर्जी	-
निवेष का प्रकार	Standard
गेट प्रभारी	257 nC
टीडी (पर / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस	34ns/243ns
परीक्षण स्थिति	600V, 60A, 10Ohm, 15V
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)	75 ns
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	TO-3P-3, SC-65-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-3P

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न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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