IXBT20N360HV

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	BIMOSFET™
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Not For New Designs
IGBT प्रकार	-
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	3600 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	70 A
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)	220 A
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	3.4V @ 15V, 20A
शक्ति - मैक्स	430 W
स्विचिंग एनर्जी	15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
निवेष का प्रकार	Standard
गेट प्रभारी	110 nC
टीडी (पर / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस	18ns/238ns
परीक्षण स्थिति	1500V, 20A, 10Ohm, 15V
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)	1.7 µs
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-268

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