IGP01N120H2

निर्माता भाग संख्या:	IGP01N120H2
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
डाटा शीट:	IGP01N120H2 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
IGBT प्रकार	-
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	1200 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	3.2 A
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)	3.5 A
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	2.8V @ 15V, 1A
शक्ति - मैक्स	28 W
स्विचिंग एनर्जी	140µJ
निवेष का प्रकार	Standard
गेट प्रभारी	8.6 nC
टीडी (पर / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस	13ns/370ns
परीक्षण स्थिति	800V, 1A, 241Ohm, 15V
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)	-
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	TO-220-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PG-TO220-3

विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 13000

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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