STGW8M120DF3

निर्माता भाग संख्या:	STGW8M120DF3
उत्पादक:	STMicroelectronics
विवरण का हिस्सा:	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
डाटा शीट:	STGW8M120DF3 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	M
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
IGBT प्रकार	Trench Field Stop
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	1200 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	16 A
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)	32 A
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	2.3V @ 15V, 8A
शक्ति - मैक्स	167 W
स्विचिंग एनर्जी	390µJ (on), 370µJ (Off)
निवेष का प्रकार	Standard
गेट प्रभारी	32 nC
टीडी (पर / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस	20ns/126ns
परीक्षण स्थिति	600V, 8A, 33Ohm, 15V
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)	103 ns
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	TO-247-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-247-3

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