2SK3047

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	800 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	2A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	7Ohm @ 1A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	-
वीजीएस (अधिकतम)	±30V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	350 pF @ 20 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	2W (Ta), 30W (Tc)
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-220D-A1
पैकेज / मामला	TO-220-3 Full Pack

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