3N163-E3

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	P-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	40 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	50mA (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	20V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	250Ohm @ 100µA, 20V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	5V @ 10µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	-
वीजीएस (अधिकतम)	±30V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	3.5 pF @ 15 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	375mW (Ta)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-72
पैकेज / मामला	TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

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मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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