TK40P03M1(T6RSS-Q)

निर्माता भाग संख्या:	TK40P03M1(T6RSS-Q)
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा:	MOSFET N-CH 30V 40A DP
डाटा शीट:	TK40P03M1(T6RSS-Q) डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	U-MOSVI-H
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	40A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	10.8mOhm @ 20A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.3V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	17.5 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	1150 pF @ 10 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	-
परिचालन तापमान	-
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	DP
पैकेज / मामला	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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