PH1330AL,115

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	TrenchMOS™
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	100A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	-
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	1.3mOhm @ 15A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.15V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	100 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	-
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	6227 pF @ 12 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	-
परिचालन तापमान	-
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	LFPAK56, Power-SO8
पैकेज / मामला	SOT-1023, 4-LFPAK

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मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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	PH1330AL,115 Nexperia

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