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IR (Infineon Technologies) / BSF024N03LT3GXUMA1

BSF024N03LT3GXUMA1

निर्माता भाग संख्या: BSF024N03LT3GXUMA1
उत्पादक: IR (Infineon Technologies)
विवरण का हिस्सा: MOSFET N-CH 30V 15A/106A 2WDSON
डाटा शीट: BSF024N03LT3GXUMA1 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
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package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखलाOptiMOS™
पैकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थितिObsolete
FET प्रकारN-Channel
प्रौद्योगिकीMOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली30 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस15A (Ta), 106A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस2.4mOhm @ 20A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs71 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds5500 pF @ 15 V
फ़ीचर फ़ीचर-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)2.2W (Ta), 42W (Tc)
परिचालन तापमान-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारSurface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजMG-WDSON-2, CanPAK M™
पैकेज / मामला3-WDSON
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