FDFMA2P853

निर्माता भाग संख्या:	FDFMA2P853
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
डाटा शीट:	FDFMA2P853 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	PowerTrench®
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	P-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	20 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	3A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	1.8V, 4.5V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	120mOhm @ 3A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1.3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	6 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम)	±8V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	435 pF @ 10 V
फ़ीचर फ़ीचर	Schottky Diode (Isolated)
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	1.4W (Ta)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	6-MicroFET (2x2)
पैकेज / मामला	6-VDFN Exposed Pad

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स्टॉक की अवस्था: 2156204

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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