FDZ3N513ZT

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	P-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	1.1A
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	-
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	462mOhm @ 300mA, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	1 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम)	+5.5V, -300mV
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	85 pF @ 15 V
फ़ीचर फ़ीचर	Schottky Diode (Isolated)
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	1W (Ta)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 125°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	4-WLCSP (1x1)
पैकेज / मामला	4-XFBGA, WLCSP

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स्टॉक की अवस्था: 25469

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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