TP5322N8-G

निर्माता भाग संख्या:	TP5322N8-G
उत्पादक:	Roving Networks / Microchip Technology
विवरण का हिस्सा:	MOSFET P-CH 220V 260MA TO243AA
डाटा शीट:	TP5322N8-G डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	P-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	220 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	260mA (Tj)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	12Ohm @ 200mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.4V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	-
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	110 pF @ 25 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	1.6W (Ta)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-243AA (SOT-89)
पैकेज / मामला	TO-243AA

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