IMBG120R030M1HXTMA1

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	CoolSiC™
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1.2 kV
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	56A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	-
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	41mOhm @ 25A, 18V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	5.7V @ 11.5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	63 nC @ 18 V
वीजीएस (अधिकतम)	+18V, -15V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	2.29 nF @ 800 V
फ़ीचर फ़ीचर	Standard
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	300W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PG-TO263-7-12
पैकेज / मामला	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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