NDS9407_G

निर्माता भाग संख्या:	NDS9407_G
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	PowerTrench®
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	P-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	60 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	3A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	150mOhm @ 3A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	22 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	732 pF @ 30 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	2.5W (Ta)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-SOIC
पैकेज / मामला	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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